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半导体 分立器件测试系统

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产品详细

系统概述:

设备的扩展性强,通过选件可提高电流、电压以及测试品种的范围。支持电压电流阶梯升级至2000V,1250A。采用了脉冲测试法,脉冲宽度为美军规定的300uS。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。

 

基础配置:

技术参数

ENJ2005-A型

ENJ2005-B型

主极电压

10mV-2000V

10mV-2000V

主极电流

100nA-50A

100nA-50A

扩展电流

100A、200A、400A、500A

250A、500A、750A、1000A、1250A

电压分辨率

1mV

1mV

电流分辨率

100nA

10nA(可扩展至10pA)

测试精度

0.5% 2LSB

0.2% 2LSB

测试速度

0.5mS/参数Parameter

0.5mS/参数Parameter

 

测试范围:

测试器件

二极管  /  DIODE

绝缘栅双极大功率晶体管  /  IGBT

晶体管  /  NPN型/PNP型

MOS场效应管  /  MOS-FET

J型场效应管  /  J-FET

可控硅  /  SCR

双向可控硅  /  TRIAC

达林顿列阵  /  DRALINTON

光电耦合  /  OPTO-COUPLER

稳压、齐纳二极管  /  ZENER

三端稳压器  /  REGULATOR

双向触发二极管  /  DIAC

 

硅触发可控硅  /  STS

 

光电开关  /  OPTO-SWITCH

 

光电逻辑  /  OPTO-LOGIC

 

金属氧化物压变电阻  /  MOV

 

固态过压保护器  /  SSOVP

 

压变电阻  /  VARISTOR

 

继电器  /  RELAY

 

测试参数:

漏电参数:IRICBOLCEO/S/XIDSS/XIDOFFIDRMIRRMICOFFIDGOICESIGESFIGESRIEBOIGSSFIGSSRIGSSIGKOIR(OPTO)

击穿参数:BVCEO BVCES(300uS Pulse above 10mA)BVDSS、VDBVCBOVDRMVRRM  VBBBVRVD VD-BVDGOBVZBVEBOBVGSSBVGKO

增益参数:hFE、CTR、gFS

导通参数:VCESAT、SAT、VBEON、VF、VT、VT 、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDON、Notch=IGT1、IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)

混合参数:RdsonGfsInput Regulation、Output Regulation

关断参数:VGSOFF

触发参数:IGT、VGT

保持参数:IH、IH 、IH-

锁定参数:IL、IL 、IL-

联系方式

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