氮化硅陶瓷座

氮化温度高于1400℃时发生α/β相变，随着氮化温度的提高和时间的延长，β相的相对含量增 加，氮化硅的微观形貌也发生明显变化，由针状和 絮状形貌转变成片状形貌较后形成长柱状结构 α/β 相变使样品的相对介电常数ε′和介电损耗 tan δ都呈现升高的趋势，其中tanδ的变化更为 明显相变导致的氮化硅陶瓷中点缺陷浓度增高是 引起材料介电损耗大幅增加的主要原因。以硅粉和氮化硅晶须为原料, 通过添加30% (质量分数) 成孔剂球形颗粒，以聚乙烯醇作粘结剂， 采用干压成型工艺，反应烧结制备了多孔氮化硅陶 瓷，分析对比了氮化硅晶须对反应烧结氮化硅多孔 陶瓷介电性能的影实验结果表明，随着氮化硅晶 须加入量的升高，氮化硅多孔陶瓷的介电常数和介 电损耗都升高，介电性能恶化。氮化硅晶须的加入对试样的气孔率没有基本上没有影 响, 试样的气孔率都大约在60% 晶须在试样内呈无序分布, 在其表面上有氮化硅絮状物 生成这些反应生成的絮状物与晶须的结合界面不紧密, 容易存在微观缺陷 随着晶须含量的增加, 试样的介电常数与介电损耗都上 升, 且有损耗峰的出现, 试样的介电性能化。

由于结构陶瓷材料脆性较大，准确加工时极易产生磨削裂纹，这一点是航空，航天零件禁忌的，如应用于航宅发动机、航天火箭等高等产品中的结构陶瓷近年来世界各国都竞相开发结构陶瓷材料表面无损伤的**加工新方法实现结构陶瓷无损伤加工较有效的技术是延性域磨削。

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