单晶生长炉 CVD系统真空管式炉

设备用途

本设备是专为高等院校﹑科研院所的实验室及工矿企业在可控多种气氛及真空状态下对金属，非金属及其它化合物进行真空烧结、气氛保护烧结、真空镀膜、气氛还原烧结、CVD实验、真空退火﹑熔化﹑物质成分测量分析而研制的专项使用理想设备。

应用领域

半导体、纳米材料、碳纤维、石墨烯等新材料、稀土制备、电子照明、晶体退火、生物陶瓷、电子陶瓷、特种合金、磁性材料、准确铸造、金属热处理等行业领域。

技术参数

设备名称：1200度管式炉

设备型号：TF1200-80

炉管材质：石英管（高温可选刚玉管）

炉管尺寸：80mm*1000mm（管径*管长）

加热区尺寸：440mm

恒温区尺寸：200mm

较高温度：1200度

工作温度：≤1100度(连续)

工作电源：单相 220V 50/60Hz 3Kw

加温

加热元件：优质电阻丝，环形加热。

升温速率：10-15℃/min

测温

测温元件：N型热电偶

控温

温控仪表：数显仪表，智能化30段PID可编程控制。

控温精度：?1℃，超温启动紧急信号

保温

保温材料：多晶氧化铝纤维材料，保温效果好，热能损耗少。

充气正压：≤ 0.02MPa

可通气体：惰性气体和还原性气体等。

法兰（炉管两端配有不锈钢密封CF法兰，包括准确针阀、指针式真空压力表、软管接头，若有特殊需求，可选配以下法兰）

1、聚四氟乙烯法兰，用于有腐蚀环境。

2、水冷法兰，用于更好防止密封圈老化。

3、KF法兰，用于更高真空需求。

真空（根本实际需要选配以下不同真空泵或真空系统）

1、标准旋片式机械真空泵，直插接口，较限真空可达50Pa。

2、DZK10-1低真空系统，KF接口，较限真空可达1*10-1Pa。

3、GZK10-3高真空系统，KF接口，较限真空可达1*10-3Pa。

打开方式：封闭式，炉管从两侧插入。

外形尺寸：1000*406*505(宽*深*高)mm

包装尺寸：1300*600*700mm

设备净重：60Kg

包装毛量：110kg

设备包箱：木箱 珍珠棉 防尘膜

发货物流：送货上门，不含卸货。

质  保  期：一年，相关耗材除外，如加热元件等易耗件

标准配件

坩埚钳1把、刚玉舟1只、炉钩1把、管堵2只、刚玉管1根、304法兰1套、密封圈4只、浮子流量计1只、耐高温手套1双、产品说明书1份、仪表说明书1份、保修证书1份。

可选配件

1、二三四路浮子或质子流量供气系统。

2、DZK10-1低真空系统或GZK10-3高真空系统。

3、300W或500W等离子射频电源。

4、可选配移动炉架，将管式炉放置在炉架上。

注意事项

1、为了不影响设备正常使用寿命，请不要过快升降温。

2、请不要往管内通入超过0.02MPa的气体压力。

3、本设备使用一段时间后，炉膛会出现微小裂纹，属于正常现象，不会影响使用，可向业务人员免费索取氧化铝涂层修补剂。

4、由于气瓶内部气压较高，所以向炉管内通入气体时，气瓶上必须安装减压阀，建议在本公司选购减压阀，本公司减压阀量程为0.01MPa-0.1MPa,使用时会更加准确安全。

5、进入炉管的气体流量需小于200SCCM，以避免冷的大气流对加热刚玉管的冲击

6、对于只对样品加热的实验（不抽真空不通气体），不建议使用时关闭炉管法兰端的抽气阀和进气阀。若需要关闭气阀对样品加热，您必须时刻关注压力表的指数（气压会随温度升降而变化），若压力表指数大于0.02MPa，必须立刻打开泄气阀，以防意外发生（如炉管破裂，法兰飞出等）。

友情提示

可按需定制非标管式炉，如更长加热区及各种特殊要求。