程控扩散炉主要满足半导体电力电子器件、大功率集成电路等行业,对所加工的硅
片进行扩散、氧化、退火、合金等工艺。主要由扩散炉加热炉体、气源系统、
控制系统、超净化操作系统等组成。选用工控机微控方式或者程控方式操作。
程控扩散炉技术指标:
u可处理硅片尺寸:2—12英寸
u外型形式:卧式1—4管结构
u工作温度:200℃—1300℃
u恒温区长度及精度:200mm—1100mm≤±0.5℃
u单点温度稳定性、重复性:≤±1℃/24h
u温度斜变:可控升温速率15℃/min
u可控降温速率:5℃/min
u送片装置:手动推拉
u气路系统:1—5路工艺气体/管
u气体控制:手动浮子流量计
u控制方式:程控