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等离子化学气相沉淀反应炉

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   与普通的CVD系统相比,因为有等离子源的介入,系统的沉积温度相对较低。
配备有滑轨式管式炉可以轻松实现快速降温,实现快速退火。   
操控界面可配备液晶操作系统,图文显示,直观易懂,对于设备的使用操作简单易学, 该系统较高工作温度接近1150℃,能满足大多数热处理场合。该设备可具体用于:碳、 ZnO 纳米管或纳米线的制备也可以用于制备单层石墨烯以及各种CVD实验 。   






输出功率:          5 ~500W    ± 1% . 
射频频率:          13.56 MHz    ±0.005% .
反射功率:          非常大约200W 
阻抗匹配:          自动





双较旋片泵, 较限真空0.1Pa
KFD25 快接,不锈钢波纹管,手动挡板阀与法兰,真空泵相连.
管内真空可达1Pa,若要更高真空度可选配高真空机组。
可选:本公司进口的防腐型数字式真空显示计,其测量范围为  3.8x10-5 至 1125 Torr. 不需因测量气体种类不同而需要系数转换。(需要另外计算费用)

质量流量计

质量流量计(精度0.02% ) :数字显示,自动控制.
MFC 1范围:  0~100 sccm 
MFC 2和3:    0~500 sccm  
一个混气罐,底部装有泄废液口.  
进气接口: 1/4NPS. 
出气接口: 1/4NPS. 

水冷系统

水冷法兰要求:水流量 >= 10L/M ,配有有经验水冷机组。

管式炉                    

炉管直径:80mm
炉管长度:1400mm
炉膛长度:440mm
控温精度:±1℃
工作温度:≦1200℃

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