产 品 特 点
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与普通的CVD系统相比,因为有等离子源的介入,系统的沉积温度相对较低。 配备有滑轨式管式炉可以轻松实现快速降温,实现快速退火。 操控界面可配备液晶操作系统,图文显示,直观易懂,对于设备的使用操作简单易学, 该系统较高工作温度接近1150℃,能满足大多数热处理场合。该设备可具体用于:碳、 ZnO 纳米管或纳米线的制备也可以用于制备单层石墨烯以及各种CVD实验 。
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等 离 子 发 生 器
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输出功率: 5 ~500W ± 1% . 射频频率: 13.56 MHz ±0.005% . 反射功率: 非常大约200W 阻抗匹配: 自动
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真 空 泵 机 组
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双较旋片泵, 较限真空0.1Pa KFD25 快接,不锈钢波纹管,手动挡板阀与法兰,真空泵相连. 管内真空可达1Pa,若要更高真空度可选配高真空机组。 可选:本公司进口的防腐型数字式真空显示计,其测量范围为 3.8x10-5 至 1125 Torr. 不需因测量气体种类不同而需要系数转换。(需要另外计算费用)
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质量流量计
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质量流量计(精度0.02% ) :数字显示,自动控制. MFC 1范围: 0~100 sccm MFC 2和3: 0~500 sccm 一个混气罐,底部装有泄废液口. 进气接口: 1/4NPS. 出气接口: 1/4NPS.
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水冷系统
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水冷法兰要求:水流量 >= 10L/M ,配有有经验水冷机组。
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管式炉
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炉管直径:80mm 炉管长度:1400mm 炉膛长度:440mm 控温精度:±1℃ 工作温度:≦1200℃
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