昆山艾科迅机械有限公司
主营：高温马弗炉,真空管式炉,真空气氛炉,升降炉,真空电阻炉,PECVD管式炉,真空气淬炉,真空井式炉
主营：高温马弗炉,真空管式炉,真空气氛炉,升降炉,真空电阻炉,PECVD管式炉,真空气淬炉,真空井式炉
所在地:
江苏 苏州
产品价格:
6999元/台(大量采购价格面议)
最小起订:
1
发布时间:
2017-05-02
有效期至:
2017-06-02
产品详细
等离子体增强化学气相沉积法。
设备介绍： 本设备是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。
产品简介：此款设备配有Plasma实现等离子增强，滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处，使样品能得到一个快速的升温速度，同样也可将高温的管式炉直接推离样品处，使样品直接暴露在室温环境下，得到快速的降温速率。并可选配气氛微调装置，可准确的控制反应腔体内部的气体压力，带刻度的调节阀对于做低压CVD非常简单实用，工艺重复性好，对于石墨烯生长工艺非常合适，也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。
主要组成系统及特点：
本设备主要由管式加热炉体，真空系统，质子流量供气系统，射频等离子源，石英反应腔室等部件组成。
主要特点：
1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。
2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。
3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。
4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。
5、广泛应用于：各种薄膜的生长，如：SiOx, SiNx, SiOxNy和无定型硅(a-Si:H)等。
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开启式真空管式炉技术参数 |
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石英管尺寸 |
L1400mm *（根据需求选择不同直径的石英管作为反应室。有Φ40，Φ60，Φ80，Φ100，Φ120，Φ150等规格可选。） |
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加热元件 |
掺钼铁铬铝合金电阻丝 |
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测温元件 |
K型热电偶 |
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加热区长度 |
400mm |
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恒温区长度 |
200mm |
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工作温度 |
≤1100℃ |
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控温模式 |
模糊PID控制和自整定调节，智能化30段可编程控制，具有超温和断偶启动紧急信号功能 |
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控温精度 |
±1℃ |
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升温速率 |
≤20℃/min |
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电功率 |
AC220V/50HZ/3KW |
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质量供气系统技术参数（根据需求选择多路质子流量供气系统。有两路GQ-2Z，三路GQ-2Z，四路GQ-2Z，五路GQ-2Z或更多路供选择。） |
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外形尺寸 |
600x600x600mm |
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标准量程 |
50sccm（CH4）、200sccm（H2）、500sccm（Ar、N2）； |
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数显压力表测量范围 |
-0.1Mpa～0.15Mpa |
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较限压力 |
3MPa |
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针阀 |
316不锈钢 |
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截止阀 |
Φ6mm 316不锈钢针阀 |
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电功率 |
AC220V/50HZ/20W |
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响应时间 |
气特性：1～4 Sec，电特性：10 Sec |
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准确度 |
±1.5% |
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线性 |
±0.5～1.5% |
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重复精度 |
±0.2% |
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接口 |
Φ6,1/4 |
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真空系统技术参数（根据需求选择不同真空效果的真空系统。有DZK10-1（较限真空0.1Pa），GZK10-3（较限真空0.001Pa），以及进口高真空机组（较限真空0.0001Pa）供选择。） |
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外型尺寸 |
600×600×600mm |
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工作电电压 |
220V±10% 50~60HZ |
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功率 |
400W |
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抽气速率 |
4L\s |
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较限真空 |
4X10-2Pa |
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实验真空度 |
1.0X10-1Pa |
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容油量 |
1.1L |
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进气口口径 |
KF25 |
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排气口口径 |
KF25 |
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转速 |
1450rpm |
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射频电源（根据需求选择强度不同的射频电源。有DLZ300（300W），DLZ500（500W）或更大功率的射频电源供选择） |
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信号频率 |
13.56 MHz±0.005% |
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功率输出范围 |
5-300W 5W-500W可选 |
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非常大反射功率 |
200W |
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射频输出接口 |
50 Ω, N-type, female |
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功率稳定度 |
±0.1% |
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谐波分量 |
≤-50dbc |
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供电电压 |
单相交流（187V-253V） 频率50/60HZ |
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整机效率 |
>=70% |
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功率因素 |
>=90% |
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冷却方式 |
强制风冷 |
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