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伯东代理 KRI 射频离子源 RFICP 系列

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KRI 射频离子源 RFICP 系列
上海伯东美国 KRI 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频源 RFICP  系列提供完整的套装, 套装包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 射频离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 有效改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等.
射频离子源
射频离子源 RFICP 系列技术参数:

型号

RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

RFICP 380

Discharge 阳极

RF 射频

RF 射频

RF 射频

RF 射频

RF 射频

离子束流

>100 mA

>350 mA

>600 mA

>800 mA

>1500 mA

离子动能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

栅极直径

4 cm Φ

10 cm Φ

14 cm Φ

20 cm Φ

30 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

 

流量

3-10 sccm

5-30 sccm

5-30 sccm

10-40 sccm

15-50 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

长度

12.7 cm

23.5 cm

24.6 cm

30 cm

39 cm

直径

13.5 cm

19.1 cm

24.6 cm

41 cm

59 cm

中和器

LFN 2000


射频离子源 RFICP 系列应用:
离子辅助镀膜 IBAD ( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )
离子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )
表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )
离子蚀刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)
离子溅镀 IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)
离子溅射镀膜

上海伯东离子源典型应用: 射频离子源 RFICP 325 安装在 1650 mm 蒸镀机中, 实现离子辅助镀膜 IBAD 及预清洁 Pre-clean, 完成 LED-DBR 镀膜生产
右图: 在高倍显微镜下检视脱膜测试, 样品无崩边

射频离子源

上海伯东离子源典型应用: 安装在离子蚀刻机中的 KRI 射频离子源, 对应用于半导体后端的6寸晶圆进行刻蚀. 右图: 射频离子源 RFICP 安装于腔内

射频离子源

 

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项****. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

 

若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗小姐                                   宝岛伯东: 王小姐
T: 86-21-5046-3511 ext 108              T: 886-3-567-9508 ext 161
F: 86-21-5046-1322                            F: 886-3-567-0049
M: 86 152-0195-1076 ( 微信同号 )      M: 886-939-653-958
qq: 2821409400 
www.hakuto-china.cn                        www.hakuto-vacuum.com.tw


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