碳化硅雪崩测试系统 半导体器件研发

一、 产品简介

n 雪崩能量测试台，是专门设计测试IGBT、二极管、MOS管测试设备，对于那些在应用过程中功率器件两端产生较大电压的尖峰应用，就要考虑器件的雪崩能量，电压的尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因此对于反激的应用，电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量。但是，一些电源在输出短路时，初级中会产生较大的电流，加上初级电感，器件就会有雪崩损坏的可能，因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。另外，由于一些电机的负载是感性负载，而启动和堵转过程中会产生极的冲击电流，因此也要考虑器件的雪崩能量。

n 该设备主要组成单元有：示波器、程控电源、可选电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压控制、IGBT功率型器件、IGBT功率型器件保护电路、计算机程控系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试夹具、测试标准适配器等

设备优势

n 采用示波器实时采集记录测试波形，通过高精度、高带宽的柔性电流探头、高压探头直接采集被测器件的雪崩电压和雪崩电流测试数据。测试结果真实准确。

n 任意电感值采用程控切换方式，测试过程自动快速。

n 设备具有二极管测试和MOS/IGBT自关断测试两种工作模式。

n 整体采用轮式机柜集成测试，具有简洁的人机交互界面（计算机）和良好的保护措施，操作简单，移动方便等特点。

n 波形具有实时显示和保存功能，测试结果数据可转化excel进行保存处理。

二、 使用要求

l 进线电压： AC220V±10%

l 功率消耗； 1.5KW

三、 技术指标

l 电源电压：10-200V 分辨率1V,误差3%

l 雪崩电压：100-3500V 实测范围值（根据客户要求可定制）

l 雪崩能量：实测1-100J 实测计算值

l 雪崩电流：1.0-200A 实测值。分辨率1V,误差3%（根据客户要求可定制测试范围）

l 电感： 0.1-100mH任选测试值，测试过程自动执行，误差5%

l 雪崩电压波形：近似方波

l 脉冲宽度：10uS-10000uS

l 测试频率：单次、步进