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可控硅反向恢复测试设备半导体器件研发

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可控硅反向恢复测试设备
1.         总 则

可控硅反向恢复测试设备主要完成功率器件在高di/dt下反向恢复特性参数的测试。

本技术规格书适用于ZY-Trr型功率半导体反向恢复特性测试台(下面简称测试台),规定了测试台的技术参数要求,试验方法、检验验收及包装运输要求等。

本技术规范并未对一切技术细节做出规定,所提供的货物应符合工业标准和本技术规范中所提要求。

2.         引用标准

GB/T 15291-2015 半导体器件 第6部分:晶闸管

JB/T 7624-2013 整流二极管测试方法

JB/T 7626-2013 反向阻断三极晶闸管测试方法

以及国标、IEC、IEEE相关标准,以上标准均执行最新版本。如本技术规范与上述各标准之间有矛盾,则应满足较高标准。

 

 

可控硅反向恢复测试设备

 

3.       技术要求 3.1.     测试主机

 

4.2主回路参数

序号

项目

指标范围

分辨率

误差范围

备注

1

直流电源

100V~4000V连续

10V

±3%±10V

DC

2

支撑电容

≥5mF

 

±5%±5uF

C

3

Didt调节电感

0.5uH~1uH~2uH;分3档手动调节

 

±5%

 

4

电流采集(I1)

CWT30B

 

 

6000A

5

电压采集(v /v-)

TEKP601高等

 

 

20KV

6

过流保护(I2)

CP9600LF

 

 

 

7

负载电感

分档:50uH/100uH/200uH/500uH

 

 

 

8

R/C

IGCT吸收电阻

 

 

 

9

IGCT器件(Q1)

满足电压和电流量程

 

 

 

 

4.3测试参数

序号

参数

测试范围

精度

备注

1

-di/dt

200 ~5000A/us

±3%

 

2

VR

0-4000V

±3%

 

3

IF

200-5000A

±3%

 

4

IRR

0~5000A

±3%

 

注: 以上参数能够同时实现并单独可调同时能够测试反向恢复电荷Qrr、Qra,反向恢复电流IRM、反向恢复时间trr、ta,tb,s(软度因子),恢复能量Eoff。

4.4自动恒温压力夹具

序号

项目

参数

备注

1

工作方式

自动

 

2

压力范围

10~130KN分辨率0.1 KN;精度±5%

 

3

温度控制范围

70~180℃,分辨率0.1℃

高压阳极控温器采用非接触式测温

 

5、              检测参数

参数

项目

*正向电流

范围:200-5000A,连续可调;

±3%±2A;

 

*二极管电压

范围:300-4000V,连续可调;

±3%±2V;

 

反向恢复电流测量范围

范围:200-5000A,连续可调;

±3%±10A

 

反向恢复电荷测量范围

200-35000μC±3%±10μC

 

反向恢复时间测量范围

0.01-40μs±3%±0.05μs

 

反向恢复能量测量范围

0.1-1000J±3%±0.1J

 

*可选电感

0.2、0.5、1、2、3μH可选

 

电流变化率

500A/μs-2500A/μs 可调

 

简单描述设备功能,并介绍技术规格书的定义内容

梳理本技术规格书引用到的标准

可控硅反向恢复测试设备

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