主营:半导体器件,半导体器件
所在地:
陕西 西安
产品价格:
100000元/套(大量采购价格面议)
最小起订:
1
发布时间:
2024-11-08
有效期至:
2024-12-08
产品详细
功率半导体标准动态特性测试仪
主要完成功率器件的开通特性、关断特性以及极限关断特性参数的测试。
本技术规格书ZY-Eon适用于IGCT功率半导体标准动态特性测试台(下面简称测试台),规定了测试台的主要技术要求,参数范围,操作流程,试验方法及检验规则等。
本技术规范并未对一切技术细节做出规定,所提供的货物应符合工业标准和本技术规范中所提要求。
GB/T 15291-2015 半导体器件 第6部分:晶闸管
JB/T 7624-2013 整流二极管测试方法
JB/T 7626-2013 反向阻断三极晶闸管测试方法
以及国标、IEC、IEEE相关标准,以上标准均执行最新版本。如本技术规范与上述各标准之间有矛盾,则应满足较高标准。
功率半导体标准动态特性测试仪
2. 技术要求
序号 |
项目 |
参数 |
备注 |
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1 |
常规开通 |
通态电流 |
范围:200-10000A,连续可调; |
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主电容电压 |
范围:300-7000V,连续可调; |
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较好导通电流宽度设定范围 |
10μs-5ms |
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上升时间测量范围 |
0.01-20μs±3%±0.05μs |
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开通反馈延迟时间测量范围 |
0.01-20μs±3%±0.05μs |
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||
开通延迟时间测量范围 |
0.01-20μs±3%±0.05μs |
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||
开通能量测量范围 |
0.01-200J±3%±0.1J |
|
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开通di/dt测量范围 |
10-5000A/μs±3%±10A/μs |
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2 |
常规关断 |
较好关断电流 |
范围:200-10000A,连续可调; |
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关断反馈延迟时间测量范围 |
0.01-20μs±3%±0.05μs |
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||
关断延迟时间测量范围 |
0.01-40μs±3%±0.05μs |
|
||
关断能量测量范围 |
0.01-1000J±3%±0.1J |
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||
断态电压上升率测量范围 |
10-5000V/μs±3%±10V/μs |
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断态电流下降率测量范围 |
10-10000A/μs±3%±10A/μs |
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*主回路寄生电感 |
≤300nH |
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3 |
极限关断 |
较好关断电流 |
范围:<20000A; |
设备能力 |
4 |
数据采集和处理单元 |
示波器 |
带宽不低于500MHz,采样率不低于6.5Gs/s |
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试品控制方式 |
光纤控制 |
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2.1. 自动恒温压力夹具
序号 |
项目 |
参数 |
备注 |
1 |
工作方式 |
自动,气动 |
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2 |
压力范围 |
10~130KN;分辨率0.1 KN,精度±5%±1KN。 |
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3 |
温度控制范围 |
70~180℃,分辨率0.1℃;
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高压阳极控温器采用非接触式测温 |