西安智盈电气科技有限公司
主营：半导体器件,半导体器件
主营：半导体器件,半导体器件
所在地:
陕西 西安
产品价格:
100000元/台(大量采购价格面议)
最小起订:
1
发布时间:
2024-11-08
有效期至:
2024-12-08
产品详细
系统概念：
IPM（Intelligent Power Module），即智能功率模块，是先进的混合集成功率器件， 不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起。而且还内部集成有过电压，过电流和过热等故障检测电路，并可将检测信号送到CPU。 该系统在解决了IPM 的控制信号源以及高速数据采集处理两个关键技术的条件下，是一套基于 DSP 及 FPGA的高速实时测试系统，选择中心对准 SPWM 波形作为IPM控制信号源，检测IPM 的开关特性参数以及电压电流谐波特性，并对器件的故障信息给予判断处理。
测试功能： 配置/短路测试
|
测试范围 |
测试参数 |
|
IPM |
BVCES BVRRM BVSCES ICES IRRM VCE(SAT), VFBR, VDSET, VDSET-HP, ID, VEC, Uvt, Uvr, OUVt, OUVr, VCIN(ON), VCIN(OFF), ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L), VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN, Otc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, Ovt, T_MEAS, V_MEAS |
|
IGBT |
ICES BVCES IGES VF VGEON VTH,VTHS,ICE(SAT),VCE(SAT) |
|
DIODE |
VF-Temp,Temp, VF revision |
|
电压 |
电流 |
|||||
|
标配 |
选配 |
标配 |
选配 |
|||
|
1200V |
2200V |
200A |
600A |
|||
|
4500V |
1000A |
|||||
|
6000V |
2000A |
|||||
|
短路测试 |
||||||
|
项目 |
范围 |
误差 |
分辨率 |
|||
|
VPN |
100V-1200V |
±3% |
10V |
|||
|
测试电流 |
10A-75A |
±3% |
1A |
|||
|
短路电流 |
100A-500A |
±3% |
1A |
|||
|
静态参数 |
上桥参数 |
动态参数 |
|
上桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-H) |
集电极电压/Vce:100～1200V/±3%/10V |
|
|
上桥IGBT/FRD耐压测试(Bvce-H) |
集电极电流/Ice： 10～75A/±3%/1A |
|
|
上桥驱动IC低端静态电流测试(IDH) |
VD=VBS=15V/±3%/0.1V |
|
|
上桥驱动IC高端静态工作电流测试（Iqbs-U V W） |
VIN=0～5V/±3%/0.1V |
|
|
上桥欠压保护监测电平（UVbsd-U V W） |
ton-L : 10～500nS/±3%/1nS |
|
|
上桥欠压保护复位电平（UVbsr-U V W） |
tc（on）-L :5～200nS/±3%/1nS |
|
|
上桥驱动IC导通阈值电压测试（Vth（on）-UH VH WH） |
toff-L: 50～500nS/±3%/1nS |
|
|
上桥驱动IC关断阈值电压测试（Vth（off）-UH VH WH） |
tc(off)-L: 5～200nS/±3%/1nS |
|
|
上桥IGBT饱和电压测试（Vce(sat)-UH VH WH） |
Trr-L :10～500nS/±3%/1nS |
|
|
上桥FRD正向压降测试（VF-(UH VH WH) |
Eon-L :0.1～10mJ/±3%/0.1mJ |
|
|
|
Eoff-L： 0.1～10mJ/±3%/0.1mJ |
|
|
下桥IGBT/FRD漏电流测试（Ices-L） |
下桥参数 |
集电极电压/Vce:100～1200V/±3%/10V |
|
下桥驱动IC静态工作电流测试（IDL） |
集电极电流/Ice:10～75A/±3%/1A |
|
|
故障输出电压测试（Vfoh Vfol） |
VD=VBS=15V/±3%/0.1V |
|
|
过流保护阈值电压测试（Vcin（ref）） |
VIN=0～5V/±3%/0.1V |
|
|
下桥欠压保护监测电平（UVdd）VD=VBS=15V |
on-L : 10～500nS/±3%/1nS |
|
|
下桥欠压保护复位电平（UVdr） |
tc（on）-L :5～200nS/±3%/1nS |
|
|
下桥驱动IC导通阈值电压（Vth（on）-UL VL WL） |
toff-L: 50～500nS/±3%/1nS |
|
|
下桥驱动IC关断阈值电压（Vth（off）-UL VL WL） |
tc(off)-L: 5～200nS/±3%/1nS |
|
|
下桥IGBT饱和电压测试（Vce(sat)-UL VL WL） |
Trr-L :10～500nS/±3%/1nS |
|
|
下桥FRD正向压降测试（VF-(UL VL WL) |
Eon-L :0.1～10mJ/±3%/0.1mJ |
|
|
|
Eoff-L： 0.1～10mJ/±3%/0.1mJ |