主营:扩散/氧化炉+太阳能设备+LPCVD+LED合金炉+真空/氮气炉+链式/隧道炉+压力烧结炉+真空热处理炉
所在地:
山东 青岛
产品价格:
面议(大量采购价格面议)
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0
发布时间:
2010-08-15
有效期至:
2010-08-30
产品详细
产品介绍
pecvd满足半导体集成电路,电力电子器件,光电子等行业用于在硅片上淀积si o2、si 3n4、poly-si、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜工艺。
pecvd系统性能特点:
结构形式:1—4管卧式热壁型
硅片规格:2—8英寸硅片(或125×125mm、156×156mm方片)
温度范围:300~1100℃
恒温区长度及精度:200mm—1000mm(±1℃/24h)
淀积薄膜均匀性: 片内±5% 片间±5% 批间±5%
沉积膜厚度:600~1 5000a
系统较限真空度:优于1pa
工作压力范围:20~133pa闭环控制
控制方式:工业微机
送料装置:悬臂推拉舟、软着陆系统
淀积薄膜分类:si 3n4、si02、psg、pply-si膜
真空泵:罗茨泵、机械泵
工艺气路:5路气/管。vcr接口
40kfiz脉宽调制ae高频电源
装片量:200片/舟