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<p><span style=“FONT-SIZE: medium“><strong>规格</strong>:(Φ5.0-150.0)×(0.2-6.0)mm符合国标GB/T14592-93 <br /><strong>参数</strong>:比重:10.2g/cm³电阻率:不大于6.26×10-6Ω.cm <br /><strong>热膨胀系数</strong>:4.0×10-6μm/(m.k)-6.4×10-6μm/(m.k)(在373.15k-973.15k)</span></p>
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<p><strong>用途</strong>:适用于电力半导体器件及电真空器件。用作可控硅元件中单晶硅片的支撑基板。 <br /><strong>特点</strong>:钼圆片表面光亮,粗糙度可达Ra1.60,热导电性能好,热膨胀系数小,且耐高温,抗压强度优于现行同类产品</p>
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<p style=“TEXT-ALIGN: center“><span style=“FONT-SIZE: medium“><br /><strong>如果您有特殊要求,可协商解决,欢迎您来电咨询!<br /></strong></span></p>
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