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智能高温热处理炉

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等离子体增强化学气相沉积法。

设备介绍: 本设备是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。

产品简介此款设备配有Plasma实现等离子增强,滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处,使样品能得到一个快速的升温速度,同样也可将高温的管式炉直接推离样品处,使样品直接暴露在室温环境下,得到快速的降温速率。并可选配气氛微调装置,可准确的控制反应腔体内部的气体压力,带刻度的调节阀对于做低压CVD非常简单实用,工艺重复性好对于石墨烯生长工艺非常合适,也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。

主要组成系统及特点:

 

本设备主要由管式加热炉体,真空系统,质子流量供气系统,射频等离子源,石英反应腔室等部件组成。

要特点:

    1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。

    2PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。

    3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。

    4PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。

    5、广泛应用于:各种薄膜的生长,如:SiOx, SiNx, SiOxNy和无定型硅(a-Si:H)等。

 

 

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