300W射频等离子磁控溅射镀膜仪

输入电源

• 220VAC 50/60Hz, 单相
• 800W  (包括真空泵）

等离子源

一个300W，13.5MHz的射频电源安装在移动柜内

(点击图片查看详细资料）

磁控溅射头

• 一个 2英寸磁控溅射头（带有水冷夹层），采用快速接头与真空腔体相连接
• 靶材尺寸: 直径为50mm,非常大厚度6.35mm
• 一个快速挡板安装在法兰上（手动操作，见图左3）
• 溅射头所需冷却水：流速10ml/min（仪器中配有一台流速为16ml/min的循环水冷机）
• 同时可选配1英寸溅射头
  

真空腔体

• 真空腔体：160 mm OD x 150 mm ID x  250mm H，采用高纯石英制作
• 密封法兰:直径为165 mm .  采用金属铝制作，采用硅胶密封圈密封
• 一个不锈钢网罩住整个石英腔体，以屏蔽等离子体
• 真空度：10-3 Torr （采用双较旋片真空泵）
•         10-5 torr （采涡旋分子泵）

载样台

• 载样台可旋转（为了制膜更加均匀）并可加热
• 载样台尺寸：直径50mm （非常大可放置2英寸的基片）
• 旋转速度：1 - 20 rpm
• 样品的较高加热温度为700℃，(短期使用，恒温不超过1小时)，长期使用温度500℃
• 控温精度+/- 10℃
  

真空泵

可选用直联式双较旋片泵,也可选用德国制作的分子泵系统

薄膜测厚仪

• 一个准确的石英振动薄膜测厚仪安装在仪器上，可实时监控薄膜的厚度，分辨率为0.10 Å  
• LED显示屏显示，同时也输入所制作薄膜的相关数据
  

外形尺寸

质保和质量认证

• 一年质保期，终生维护
• CE认证

使用注意事项

• 这款2英寸的射频溅射镀膜仪主要是用于在单晶基片上制备氧化物膜，所以并不需要太高的真空度
• 为了较好地排出真空腔体中的氧气，建议用5%H2+95 %N2对真空腔体清洗，可有效减少真空腔体中的氧含量
• 请用纯度大于5N的Ar来进行等离子溅射，甚至5N的Ar中也含有10- 100 ppm的氧和水，所以建议将钢瓶中的惰性气体通过净化系统过后，再导入到真空腔体内