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LPCVD

产品信息

产品详细

所属行业: 半导体工艺设备
产品内容: 产品应用:用于2-6英寸多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜生长工艺及其掺杂如psg或bpsg等

产品特点:
◆主机为水平三管炉系统构架,单独完成不同的工艺或相同工艺
◆工业计算机控制系统,对炉温、进退舟、气体流量、闸门等动作进行自动控制
◆采用悬臂送片器,操作方便、无摩擦污染等
◆关键部件均采用进口,确保设备的高可靠性
◆工艺管路采用进口阀门管件组成-气密性好、耐腐蚀、纯净(管路均采用ep级电抛光管),流量控制采用进口质量流量计(mfc)
◆工作压力闭环自动控制,提高工艺稳定性和可靠性
◆控温精度高,温区控温稳定性好
◆具有断电启动紧急信号、超温启动紧急信号、较限超温启动紧急信号等多种安全保护功能
◆高质量的加热炉体,确保恒温区的高稳定性及长寿命

主要技术指标
◆工作温度:300~1000℃
◆适应硅片尺寸:2~6英寸
◆装片数量:30~100片/管
◆工艺管数量:1~3管(可选择)
◆恒温区长度: 760mm±1℃(热壁式,可形成温度梯度)
◆较限真空度: 8.0× 10 -1 pa(约6.0× 10 -3torr)
◆工作真空度: 10 ~ 1000pa可调
◆淀积膜均匀性:片内≤±5%
◆控制系统:整机控制系统采用工业控制计算机(windows 系统界面,操作方便简洁)
◆气源系统:进口阀管件、自动轨道焊接
◆典型工艺(仅供参考):
①氮化硅淀积:提供典型工艺气路(具体根据用户的工艺要求调整)
参考工艺类型: 3 nh3+4sih4 → si3n4+12h2 ……
②多晶硅淀积:提供典型工艺气路(具体根据用户的工艺要求调整)
参考工艺类型: sih4 → si+2h2 ……
③ 二氧化硅淀积:提供典型工艺气路(具体根据用户的工艺要求调整)
参考工艺类型: si(oc2h5)4 → sio2+ 4c2h4+2h2o ( dcs/n2o 等) ……
psg: teos-o2 体系, + 磷烷(亦可磷酸三甲酯、三氯氧磷)
bpsg: 在 psg 中加入 b2h6 (硼烷)或硼酸三甲酯
---- 薄膜淀积工艺(相应的掺杂 - 仅供参考,具体根据客户的情况作相应的调整

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