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PECVD

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   pecvd满足半导体集成电路,电力电子器件,光电子等行业用于在硅片上淀积si o2、si 3n4、poly-si、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜工艺。

 pecvd系统性能特点:
 结构形式:1—4管卧式热壁型
 硅片规格:2—8英寸硅片(或125×125mm、156×156mm方片)
 温度范围:300~1100℃
 恒温区长度及精度:200mm—1000mm(±1℃/24h)
 淀积薄膜均匀性: 片内±5%   片间±5%   批间±5%
 沉积膜厚度:600~1 5000a
 系统较限真空度:优于1pa
 工作压力范围:20~133pa闭环控制
 控制方式:工业微机
 送料装置:悬臂推拉舟、软着陆系统
 淀积薄膜分类:si 3n4、si02、psg、pply-si膜
 真空泵:罗茨泵、机械泵
 工艺气路:5路气/管。vcr接口
 40kfiz脉宽调制ae高频电源
 装片量:200片/舟

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