氮化硅 磁球

陶瓷具有金属等其它材料所没有的长此即优良的耐热性、硬度、耐磨损性、耐腐蚀性和轻质性等，但 陶瓷也有易脆、耐冲击性和耐热冲击性低的固有缺点，使功能的利用受到很大的限制

它较耐高温，强度一直可以维持到1200℃的高温而不下降，受热后不会熔成融体，一直到1900℃才会分解

由于氮化硅是键强高的共价化合物，并在空气中能形成氧化物保护膜，所以还具有良好的化学稳定性，1200℃以下不被氧化，1200~1600℃生成保护膜可防止进一步氧化

目前常用的断裂韧性测量方法有双层悬臂梁试 验、三点弯曲或四点弯曲试验、压痕试验等Oian 对拉伸方法进行了改进，通过测量临界应变能量释放率评价涂层 基体界理论基础 测量弹性模量的三点弯曲法在测量涂层弹性模量的方法中，以三点弯曲试 验为常用，可以采用双面涂层试样和单面涂层试 样两种

Si3N4分子中Si原子和周围4个N原子以共价键结合，形成[Si-N4]四面体结构单元，所有四面体共享顶角构成三维空间网，形成Si3N4，有两种相结构，α相和β

属高温难溶化合物，无熔点，抗高温蠕变能力强，不含粘结剂的反应烧结氮化硅负荷软化点在1800℃以上， 离子注入技术是将表面暴露在离子化的粒子束下，使用 高能量的粒子束射入基体表面，在表面形成固溶体，而基体 的性能不发生改变， 有氧气存在时 si3N4在1000e 熔融 Na2 CO3中的腐蚀可分为三个阶段 阶段, 快速失重主要是由于前 5m Na2CO3的分解和 Na2 SiO3的形成: Na2 CO3 科研与探讨现代技术陶瓷 2010年第 3SiO2 xSiO2 Na2CO3 第二阶段,快速增重当盐膜中的 Na2 CO3消 耗殆尽, iO2的生成量大于其溶解量,进入快速增 重阶段这一阶段的腐蚀由氧气在液相膜中的 扩散控制氧气在液相硅酸钠中具有更快的扩 散速率, 曲线上表现为快速增重 第三阶段, 慢速增重随着反应时间的延 基体表层的SiO2变得致密, 阻止了氮化硅的 继续腐蚀, 出现后期质量几乎零增加阶段

首先将陶瓷粉与可光固化的树脂混合制成陶瓷料浆铺展在工作平台上，通过计算机控制紫外线选择性照射溶液表面含有陶瓷的溶液通过光聚合形成高分子聚合体结合的陶瓷坯体通过控制平台在z方向的移动，可以使新的一层溶液流向已固化部分表面如此反复循环，终就可以形成所需的陶瓷坯体

对于在空气中难于烧结的特种陶瓷制品(如透光体或非氧化物)常用气氛烧结法这种方法是在炉内通入一定气体，形成所要求的气氛，位制品在待定的气氛下烧结根据不同的材料可以选用氧、氢、氮、员成真空等不同气氛用这种方法能防止陶瓷材料在高温下的氧化，还可起到促进烧结、提高制品致密度和物理性能的作用目前高压钠蒸气灯用的氧化铝透光体就是在真空或氢气小烧结的巾于在这一特殊气氛下，晶粒之间存在的孤立气fLl的气体或品粒内气孔中的气体被置换而很快扩散，气孔易被清理，所以，能得到气孔率趋近厂零，透光性优异的制品

热压烧结技术不仅显著降低氧化铝瓷的烧结温度，而且能较好地舒缓晶粒长大，能够获得致密的微晶高度的氧化铝陶瓷，特别适合透明氧化铝陶瓷和微晶刚玉瓷的烧结此外，由于氧化铝的烧结过程与阴离子的扩散速率有关，而还原气氛有利于阴离子空位的增加，可促进烧结的进行因此，真空烧结、氢气氛烧结等是实现氧化铝瓷低温烧结的有效辅助手段在生产实践中，为获得佳综合经济效益，上述低烧技术往往相互配合使用，其中加入助烧添加剂的方法相对其它方法而言，具有成本低、效果好、工艺简便实用的特点在中铝瓷、高铝瓷和刚玉瓷的生产中被广泛使用另外，从材料角度来看，通过掺杂改性技术，大幅度提高氧化铝陶瓷的各项机电性能，用Al2O3含量低的瓷体代替Al2O3含量高的瓷体，也是企业常用的降低氧化铝陶瓷产品烧结温度的有效技术手段比如在材料性能满足产品使用要求下，用85瓷代替90瓷或95瓷，用90瓷、95瓷代替99瓷等都是可行的

近三十年来我国从事先进结构陶瓷材料的高校科研院所和众多陶瓷企业在陶瓷材料的研发和产业化方面取得了令人瞩目的成就，已成为先进结构陶瓷材料的制造大国，不但为我国工业化和现代化进程提供了材料保障和支撑，其中不少企业的高性能陶瓷产品出口到海外，但是，从陶瓷产业链和价值链上来看，我国先进结构陶瓷许多企业和产品还处于中低端，总体水平与发达国家相比还有一定差距从先进陶瓷大国向强国转型，面临的主要问题、挑战与痛点至少包括以下几个方面。

如球阀、泵体、燃烧汽化器、过滤器等