主营:半导体器件,半导体器件
所在地:
陕西 西安
产品价格:
100000元/台(大量采购价格面议)
最小起订:
1
发布时间:
2024-11-30
有效期至:
2024-12-30
产品详细
雪崩能量测试台,是专门设计测试 IGBT、二极管、MOS 管测试设
备,对于那些在应用过程中功率器件两端产生较大电压的尖峰应用,
就要考虑器件的雪崩能量,电压的尖峰所集中的能量主要由电感和
电流所决定,因此对于反激的应用,电路关断时会产生较大的电压
尖峰。通常的情况下,功率器件都会降额,从而留有足够的电压余
量。但是,一些电源在输出短路时,初级中会产生较大的电流,加
上初级电感,器件就会有雪崩损坏的可能,因此在这样的应用条件
下,就要考虑器件的雪崩能量。另外,由于一些电机的负载是感性
负载,而启动和堵转过程中会产生极的冲击电流,因此也要考虑器
件的雪崩能量。
采用示波器实时采集记录测试波形,通过高精度、高带宽的柔
性电流探头、高压探头直接采集被测器件的雪崩电压和雪崩电流测
试数据。测试结果真实准确。
技术指标
电源电压:10-200V 分辨率 1V,误差 3%
雪崩电压:100-2000V 实测范围值(根据客户要求可定制)
雪崩能量:实测 1-100J 实测计算值
雪崩电流:1.0-100A 实测值。分辨率 1V,误差 3%(根据客户要求
可定制测试范围)
电感: 0.1-100mH 任选电感值,测试过程自动执行,误差 5%
雪崩电压波形:近似方波
脉冲宽度:10uS-10000uS
测试频率:单次