西安智盈电气科技有限公司
主营：半导体器件,半导体器件
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所在地:
陕西 西安
产品价格:
100000元/套(大量采购价格面议)
最小起订:
1
发布时间:
2024-11-28
有效期至:
2024-12-28
产品详细
可控硅反向恢复测试设备
1. 总 则
可控硅反向恢复测试设备主要完成功率器件在高di/dt下反向恢复特性参数的测试。
本技术规格书适用于ZY-Trr型功率半导体反向恢复特性测试台（下面简称测试台），规定了测试台的技术参数要求，试验方法、检验验收及包装运输要求等。
本技术规范并未对一切技术细节做出规定，所提供的货物应符合工业标准和本技术规范中所提要求。
GB/T 15291-2015 半导体器件 第6部分：晶闸管
JB/T 7624-2013 整流二极管测试方法
JB/T 7626-2013 反向阻断三极晶闸管测试方法
以及国标、IEC、IEEE相关标准，以上标准均执行最新版本。如本技术规范与上述各标准之间有矛盾，则应满足较高标准。
可控硅反向恢复测试设备
3. 技术要求 3.1. 测试主机
4.2主回路参数
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序号 |
项目 |
指标范围 |
分辨率 |
误差范围 |
备注 |
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1 |
直流电源 |
100V~4000V连续 |
10V |
±3%±10V |
DC |
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2 |
支撑电容 |
≥5mF |
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±5%±5uF |
C |
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3 |
Didt调节电感 |
0.5uH~1uH~2uH；分3档手动调节 |
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±5% |
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4 |
电流采集(I1) |
CWT30B |
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6000A |
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5 |
电压采集(v /v-) |
TEKP601高等 |
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20KV |
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6 |
过流保护(I2) |
CP9600LF |
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7 |
负载电感 |
分档：50uH/100uH/200uH/500uH |
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8 |
R/C |
IGCT吸收电阻 |
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9 |
IGCT器件（Q1） |
满足电压和电流量程 |
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4.3测试参数
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序号 |
参数 |
测试范围 |
精度 |
备注 |
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1 |
-di/dt |
200 ~5000A/us |
±3% |
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2 |
VR |
0-4000V |
±3% |
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3 |
IF |
200-5000A |
±3% |
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4 |
IRR |
0~5000A |
±3% |
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注： 以上参数能够同时实现并单独可调同时能够测试反向恢复电荷Qrr、Qra，反向恢复电流IRM、反向恢复时间trr、ta，tb，s（软度因子），恢复能量Eoff。
4.4自动恒温压力夹具
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序号 |
项目 |
参数 |
备注 |
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1 |
工作方式 |
自动 |
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2 |
压力范围 |
10～130KN分辨率0.1 KN；精度±5% |
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3 |
温度控制范围 |
70～180℃，分辨率0.1℃ |
高压阳极控温器采用非接触式测温 |
5、 检测参数
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参数 |
项目 |
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*正向电流 |
范围：200-5000A，连续可调； ±3%±2A； |
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*二极管电压 |
范围：300-4000V，连续可调； ±3%±2V； |
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反向恢复电流测量范围 |
范围：200-5000A，连续可调； ±3%±10A |
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反向恢复电荷测量范围 |
200-35000μC±3%±10μC |
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反向恢复时间测量范围 |
0.01-40μs±3%±0.05μs |
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反向恢复能量测量范围 |
0.1-1000J±3%±0.1J |
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*可选电感 |
0.2、0.5、1、2、3μH可选 |
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电流变化率 |
500A/μs-2500A/μs 可调 |
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简单描述设备功能，并介绍技术规格书的定义内容
梳理本技术规格书引用到的标准
可控硅反向恢复测试设备