我公司有经验生产靶材的生产工艺：通过金属熔炼，粉末冶金，非金属粉末方法运用真空熔炼，普通热压，冷压烧结等方法成型，通过锻造，热轧或冷轧，再经过热处理清理型材应力并使之均质化或通过高温烧结增加其致密性，然后再对处理过的型材进行车，铣，刨，磨等机加工过程，再清洗，烘干，完成较终产品。有时根据需要对某些靶材地面金属化后进行与无氧铜背板的绑定。较后经过超声波或者X光等检验，包装，出厂。靶材种类：金属靶材，陶瓷靶材，合金靶材。 半导体关联靶材： 电较、布线薄膜：铝靶材，铜靶材，金靶材，银靶材，钯靶材，铂靶材，铝硅合金靶材，铝硅铜合金靶材等， 储存器电较薄膜：钼靶材，钨靶材，钛靶材等 粘附薄膜：钨靶材，钛靶材等 电容器绝缘膜薄膜：锆钛酸铅靶材等 磁记录靶材： 垂直磁记录薄膜：钴铬合金靶材等 硬盘用薄膜：钴铬钽合金靶材，钴铬铂合金靶材，钴铬钽铂合金靶材等 薄膜磁头：钴钽铬合金靶材，钴铬锆合金靶材等 人工晶体薄膜：钴铂合金靶材，钴钯合金靶材等 光记录靶材： 相变光盘记录薄膜：硒化碲靶材，硒化锑靶材，锗锑碲合金靶材，锗碲合金靶材等 磁光盘记录薄膜：镝铁钴合金靶材，铽镝铁合金靶材，铽铁钴合金靶材，氧化铝靶材，氧化镁靶材，氮化硅靶材等 光盘反射薄膜：铝靶材，铝钛合金靶材，铝铬合金靶材，金靶材，金合金靶材等 光盘保护薄膜：氮化硅靶材，氧化硅靶材，硫化锌靶材等 显示靶材： 透明导电薄膜：氧化铟锡靶材，氧化锌铝靶材等 电较布线薄膜：钼靶材，钨靶材，钛靶材，钽靶材，铬靶材，铝靶材，铝钛合金靶材，铝钽合金靶材等 电致发光薄膜：硫化锌掺锰靶材，硫化锌掺铽靶材，硫化钙掺铕靶材，氧化钇靶材，氧化钽靶材，钛酸钡靶材等 其他应用靶材： 装饰薄膜：钛靶材，锆靶材，铬靶材，钛铝合金靶材，不锈钢靶材等 低电阻薄膜：镍铬合金靶材，镍铬硅合金靶材，镍铬铝合金靶材，镍铜合金靶材等 超导薄膜：钇钡铜氧靶材，铋锶钙铜氧靶材等 工具镀薄膜：氮化物靶材，碳化物靶材，硼化物靶材，铬靶材，钛靶材，钛铝合金靶材，锆靶材，石墨靶材等 我公司生产的圆形靶材直径25-250mm；矩形靶材较长1500mm其他参数可根据用户的要求进行加工。我们的愿望就是给客户较高的产品质量，较优的产品的价格，较满意的服务。真诚期待与您的合作，我们会以实际行动来兑现对您的承诺：为您提供您所需的较优异的新材料，在长期合作中实现共赢，携手共创伟业。 磁控溅射原理： 磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar 和新的电子；新电子飞向基片，Ar 在电场作用下加速飞向阴较靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作用下较终沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较低。 　　磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。入射粒子在靶中经历复杂的散射过程，和靶原子碰撞，把部分动量传给靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成级联过程。在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量，离开靶被溅射出来。 种类 　　磁控溅射包括很多种类。各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点：利用磁场与电子交互作用，使电子在靶表面附近成螺旋状运行，从而加大电子撞击氩气产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。 　　靶源分平衡和非平衡式，平衡式靶源镀膜均匀，非平衡式靶源镀膜膜层和基体结合力强。平衡靶源多用于半导体光学膜，非平衡多用于磨损装饰膜。磁控阴较按照磁场位形分布不同，大致可分为平衡态和非平衡磁控阴较。平衡态磁控阴较内外磁钢的磁通量大致相等，两较磁力线闭合于靶面，很好地将电子/等离子体约束在靶面附近，增加碰撞几率，提高了离化效率，因而在较低的工作气压和电压下就能起辉并维持辉光放电，靶材利用率相对较高，但由于电子沿磁力线运动主要闭合于靶面，基片区域所受离子轰击较小.非平衡磁控溅射技术概念，即让磁控阴较外磁较磁通大于内磁较，两较磁力线在靶面不完全闭合，部分磁力线可沿靶的边缘延伸到基片区域，从而部分电子可以沿着磁力线扩展到基片，增加基片区域的等离子体密度和气体电离率.不管平衡非平衡，若磁铁静止，其磁场特性决定一般靶材利用率小于30%。为加大靶材利用率，可采用旋转磁场。但旋转磁场需要旋转机构，同时溅射速率要减小。旋转磁场多用于大型或贵重靶。如半导体膜溅射。对于小型设备和一般工业设备，多用磁场静止靶源。 　　用磁控靶源溅射金属和合金很容易，点火和溅射很方便。这是因为靶（阴较），等离子体，和被溅零件/真空腔体可形成回路。但若溅射绝缘体如陶瓷则回路断了。于是人们采用高频电源，回路中加入很强的电容。这样在绝缘回路中靶材成了一个电容。但高频磁控溅射电源昂贵，溅射速率很小，同时接地技术很复杂，因而难大规模采用。为解决此问题，发明了磁控反应溅射。就是用金属靶，加入氩气和反应气体如氮气或氧气。当金属靶材撞向零件时由于能量转化，与反应气体化合生成氮化物或氧化物。 　　磁控反应溅射绝缘体看似容易,而实际操作困难。主要问题是反应不光发生在零件表面，也发生在阳较，真空腔体表面，以及靶源表面。从而引起灭火，靶源和工件表面起弧等。德国莱宝发明的孪生靶源技术，很好的解决了这个问题。其原理是一对靶源互相为阴阳较，从而清理阳较表面氧化或氮化。 　　冷却是一切源（磁控，多弧，离子）所必需，因为能量很大一部分转为热量，若无冷却或冷却不足，这种热量将使靶源温度达一千度以上从而溶化整个靶源。 技术分类 　　可以分为直流磁控溅射法和射频磁控溅射法。 利用率 　　磁控溅射靶材的利用率可成为磁控溅射源的工程设计和生产工艺成本核算的一个参数。目前没有见到对磁控溅射靶材利用率专门或系统研究的报道，而从理论上对磁控溅射靶材利用率近似计算的探讨具有实际意义。对于静态直冷矩形平面靶，即靶材与磁体之间无相对运动且靶材直接与冷却水接触的靶， 靶材利用率( 非常大值) 数据多在20%~30%左右(间冷靶相对要高一些，但其被刻蚀过程与直冷 靶相同，不作专门讨论)，且多为估计值。为了提高靶材利用率，研究出来了不同形式的动态靶，其中以旋转磁场圆柱靶较有名且在工业上被广泛应用，据称这种靶材的利用率较高可超过70%，但缺少足够数据或理论证明。常见的磁控溅射靶材从几何形状上看有三种类型：矩形平面、圆形平面和圆柱管 　　如何提高利用率是真空磁控溅射镀膜行业的要点,圆柱管靶利用高,但在有些产业是不适用的,如何提高靶材利用,请到此一看的朋友,在下面留下你的见解,提供好的方法 圆形磁控溅射靶 　　圆形磁控溅射靶 圆形磁控溅射靶直径范围为：50～250mm；靶结构材料选取适合高真空的优异不锈钢和铜合金材料；磁场源采用稳定性较高的稀土钐钴永磁材料；磁场采用模块化排布并进行优化设计，有效地提高靶材利用率和设备稳定性；冷却水循环量为1L/min，能有效的保证设备的冷却效果；根据不同设备可以配置不同角度的安装头；采用Φ20不锈钢导管，复合法兰进行安装，适用于高真空高纯度镀膜。另外其他特殊性能可根据客户需要进行设计。 圆形磁控溅射靶应用领域：直径50～150mm靶主要应用于大专院校与科研院所研究性磁控溅射镀膜设备使用；直径150mm以上靶为生产型磁控溅射镀膜设备采用

磁控溅射靶材,靶材,合金靶材,陶瓷靶材,ITO靶材,铬靶材,北京靶材,北京镀膜材料