我国半导体设备之化学气相沉积CVD设备

化学气相沉积（CVD）技术是用来制备高纯、高性能固体薄膜的主要技术。在典型的CVD 工艺过程中，把一种或多种蒸汽源原子或分子引入腔室中，在外部能量作用下发生化学反应并在衬底表面形成需要的薄膜。通常，工艺过程中还会产生很多副产物，这些副产物会被气流带走离开腔室。由于CVD 技术具有成膜范围广、重现性好等优点，被广泛用于多种不同形态的成膜。

根据化学气相沉积的工艺条件不同，可以细分为等离子体化学气相沉积（PECVD）、常压/低压化学气相沉积（APCVD/LPCVD）、原子层化学气相沉积（ALCVD）、气相外延（VPE）等技术。根据数据，CVD 设备占整个设备投入资金比例大概为15%，我们推算2018-2020年国内晶圆厂建设对应的CVD 设备市场空间分别为157、162、172亿元。而其中PECVD、AP/LPCVD、ALD 和VPE 分别占比约为35%、35%、10%和15%左右。

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